Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
SemikronMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
45 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
20V
Transistör Sayısı
6
Paket Tipi
SEMITOP3
Yapılandırma
Altılı
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
36
Transistör Yapılandırması
Altılı Paket
Boyutlar
55 x 31 x 12mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Italy
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
SemikronMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
45 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
20V
Transistör Sayısı
6
Paket Tipi
SEMITOP3
Yapılandırma
Altılı
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
36
Transistör Yapılandırması
Altılı Paket
Boyutlar
55 x 31 x 12mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Italy
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.