Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
SemikronMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
160 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
SEMITRANS2
Yapılandırma
İkili Yarım Köprü
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Transistör Yapılandırması
Seri
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Boyutlar
94 x 34 x 30.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Genişlik
34mm
Ürün Ayrıntıları
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
3.594,20 TL
Each KDV Hariç
4.313,04 TL
Each KDV Dahil
1
3.594,20 TL
Each KDV Hariç
4.313,04 TL
Each KDV Dahil
1
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 1 | 3.594,20 TL |
2 - 4 | 3.417,04 TL |
5 - 9 | 3.263,96 TL |
10 - 19 | 2.883,84 TL |
20+ | 2.741,51 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
SemikronMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
160 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
SEMITRANS2
Yapılandırma
İkili Yarım Köprü
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Transistör Yapılandırması
Seri
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Boyutlar
94 x 34 x 30.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Genişlik
34mm
Ürün Ayrıntıları
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.