Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
SemikronMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
618 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
SEMITRANS3
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
5
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Genişlik
61.4mm
Ürün Ayrıntıları
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
8.841,66 TL
Each KDV Hariç
10.609,99 TL
Each KDV Dahil
1
8.841,66 TL
Each KDV Hariç
10.609,99 TL
Each KDV Dahil
1
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 9 | 8.841,66 TL |
10 - 19 | 8.410,80 TL |
20 - 49 | 7.989,40 TL |
50 - 249 | 7.593,80 TL |
250+ | 7.224,86 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
SemikronMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
618 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
SEMITRANS3
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
5
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Genişlik
61.4mm
Ürün Ayrıntıları
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.