Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
80 V
Paket Tipi
M250
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
108 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-0,5 V, +15 V
Genişlik
6.09mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+200°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
9.91mm
Yükseklik
3.94mm
Tipik Güç Kazancı
17,7 dB
Ürün Ayrıntıları
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
5.050,221 TL
Each (In a Tray of 25) KDV Hariç
6.060,265 TL
Each (In a Tray of 25) KDV Dahil
25
5.050,221 TL
Each (In a Tray of 25) KDV Hariç
6.060,265 TL
Each (In a Tray of 25) KDV Dahil
25
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
80 V
Paket Tipi
M250
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
108 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-0,5 V, +15 V
Genişlik
6.09mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+200°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
9.91mm
Yükseklik
3.94mm
Tipik Güç Kazancı
17,7 dB
Ürün Ayrıntıları
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.