Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsAmplifikatör Tipi
JFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOIC
Güç Beslemesi Tipi
İkili
Yonga Başına Kanal Sayısı
4
Pim Sayısı
14
Ürün Tipik Kazanç Bant Genişliği
4MHz
Tipik Çift Besleme Gerilimi
±15V
Tipik Değişim Hızı
16V/µs
Minimum Çalışma Sıcaklığı
0°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+70°C
+/- Besleme Gerilimi
Yok
Maksimum Giriş Gerilimi
18 V
Çıkış Akımı
60 mA
Ofset Gerilimi
13mV
Tipik Gerilim Kazancı
106 dB
Giriş Ofset Akımı
4nA
Minimum Giriş Gerilimi
-18 V
Tipik Giriş Gerilimi Gürültü Yoğunluğu
15nV/√Hz
Uzunluk
8.75mm
Yükseklik
1.6mm
Genişlik
4mm
Giriş Gerilimi Aralığı
±18 V
Boyutlar
8.75 x 4 x 1.6mm
Menşe
Morocco
Ürün Ayrıntıları
LF347, LF351, LF353, JFET Inputs, Low Input Bias & Offset Current Operational Amplifiers
The LF347, LF351 and LF353 are high-speed JFET input operational amplifiers that incorporate matched, high-voltage JFET and bipolar transistors. They feature high slew rates, low input bias and offset currents, and low offset voltage temperature coefficient.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
Standart
20
Teklif İsteyiniz
Standart
20
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsAmplifikatör Tipi
JFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOIC
Güç Beslemesi Tipi
İkili
Yonga Başına Kanal Sayısı
4
Pim Sayısı
14
Ürün Tipik Kazanç Bant Genişliği
4MHz
Tipik Çift Besleme Gerilimi
±15V
Tipik Değişim Hızı
16V/µs
Minimum Çalışma Sıcaklığı
0°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+70°C
+/- Besleme Gerilimi
Yok
Maksimum Giriş Gerilimi
18 V
Çıkış Akımı
60 mA
Ofset Gerilimi
13mV
Tipik Gerilim Kazancı
106 dB
Giriş Ofset Akımı
4nA
Minimum Giriş Gerilimi
-18 V
Tipik Giriş Gerilimi Gürültü Yoğunluğu
15nV/√Hz
Uzunluk
8.75mm
Yükseklik
1.6mm
Genişlik
4mm
Giriş Gerilimi Aralığı
±18 V
Boyutlar
8.75 x 4 x 1.6mm
Menşe
Morocco
Ürün Ayrıntıları
LF347, LF351, LF353, JFET Inputs, Low Input Bias & Offset Current Operational Amplifiers
The LF347, LF351 and LF353 are high-speed JFET input operational amplifiers that incorporate matched, high-voltage JFET and bipolar transistors. They feature high slew rates, low input bias and offset currents, and low offset voltage temperature coefficient.