Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.35mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12,6 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.6mm
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
431,52 TL
86,304 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
517,82 TL
103,565 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
431,52 TL
86,304 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
517,82 TL
103,565 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.35mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12,6 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.6mm
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.


