Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
120A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
TO-263
Seri
STripFET II
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
10.5mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
312W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
172nC
İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
9.35 mm
Yükseklik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.914,00 TL
191,40 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.296,80 TL
229,68 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10

1.914,00 TL
191,40 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.296,80 TL
229,68 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10

| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 10 - 24 | 191,40 TL | 382,80 TL |
| 26 - 98 | 181,50 TL | 363,00 TL |
| 100 - 498 | 145,50 TL | 291,00 TL |
| 500+ | 128,70 TL | 257,40 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
120A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
TO-263
Seri
STripFET II
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
10.5mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
312W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
172nC
İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
9.35 mm
Yükseklik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


