Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
35 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET II
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
45 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
115 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 40 nC
Genişlik
9.35mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
402,42 TL
80,484 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
482,90 TL
96,581 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5

402,42 TL
80,484 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
482,90 TL
96,581 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
5

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
5 - 5 | 80,484 TL | 402,42 TL |
10+ | 76,494 TL | 382,47 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
35 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET II
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
45 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
115 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 40 nC
Genişlik
9.35mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.