Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
35A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
710V
Paket Tipi
TO-263
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
78mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
210W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
82nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
9.35 mm
Yükseklik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
1000
Teklif İsteyiniz
Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
35A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
710V
Paket Tipi
TO-263
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
78mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
210W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
82nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
9.35 mm
Yükseklik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.


