Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
10 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
30 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
7.45mm
Uzunluk
6.6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 6,4 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
2.38mm
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
64.525,00 TL
25,81 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
77.430,00 TL
30,972 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
64.525,00 TL
25,81 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
77.430,00 TL
30,972 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
10 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
30 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
7.45mm
Uzunluk
6.6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 6,4 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
2.38mm
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


