Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
17A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
250V
Paket Tipi
TO-252
Seri
STripFET II
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
165mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
90W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
29.5nC
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
6.2 mm
Yükseklik
2.4mm
Uzunluk
6.6mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
415,40 TL
83,08 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
498,48 TL
99,696 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5

415,40 TL
83,08 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
498,48 TL
99,696 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5

| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 83,08 TL | 415,40 TL |
| 25 - 45 | 78,988 TL | 394,94 TL |
| 50 - 120 | 70,928 TL | 354,64 TL |
| 125 - 245 | 63,86 TL | 319,30 TL |
| 250+ | 60,76 TL | 303,80 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
17A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
250V
Paket Tipi
TO-252
Seri
STripFET II
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
165mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
90W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
29.5nC
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
6.2 mm
Yükseklik
2.4mm
Uzunluk
6.6mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


