Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
13A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
550V
Paket Tipi
TO-252
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
240mΩ
Kanal Modu
Artırma
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
31nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
90W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.2 mm
Uzunluk
6.6mm
Yükseklik
2.4mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
131,46 TL
131,46 TL Each (KDV Hariç)
157,75 TL
157,75 TL Each KDV Dahil
Standart
1

131,46 TL
131,46 TL Each (KDV Hariç)
157,75 TL
157,75 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1

Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
13A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
550V
Paket Tipi
TO-252
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
240mΩ
Kanal Modu
Artırma
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
31nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
90W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.2 mm
Uzunluk
6.6mm
Yükseklik
2.4mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.


