Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
Güç MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
11A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-220FP
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.34Ω
Kanal Modu
Artırma
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
±25 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
22nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
85W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
16.4mm
Uzunluk
10.4mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
50
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
Güç MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
11A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-220FP
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.34Ω
Kanal Modu
Artırma
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
±25 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
22nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
85W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
16.4mm
Uzunluk
10.4mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.


