Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
28 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Seri
MDmesh DM2
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
110 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 54 nC
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Yükseklik
16.4mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
280,21 TL
140,107 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
336,25 TL
168,128 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
280,21 TL
140,107 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
336,25 TL
168,128 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
28 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Seri
MDmesh DM2
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
110 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 54 nC
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Yükseklik
16.4mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.