Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
28 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
MDmesh DM2
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
110 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 54 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Yükseklik
16.4mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
9.007,40 TL
180,148 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
10.808,88 TL
216,178 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
9.007,40 TL
180,148 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
10.808,88 TL
216,178 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
28 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
MDmesh DM2
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
110 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 54 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Yükseklik
16.4mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.


