STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics IGBT, 10 A, 600 V, 3-Pinli D2PAK (TO-263)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
20A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
65W
Paket Tipi
TO-263
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
9.35 mm
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
4.6mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
539,40 TL
107,88 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
647,28 TL
129,456 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
539,40 TL
107,88 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
647,28 TL
129,456 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 107,88 TL | 539,40 TL |
| 25 - 45 | 102,548 TL | 512,74 TL |
| 50 - 120 | 92,38 TL | 461,90 TL |
| 125 - 245 | 82,832 TL | 414,16 TL |
| 250+ | 78,864 TL | 394,32 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
20A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
65W
Paket Tipi
TO-263
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
9.35 mm
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
4.6mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products