STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics IGBT, 10 A, 600 V, 3-Pinli D2PAK (TO-263)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
20A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
65W
Paket Tipi
TO-263
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
4.6mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2.646,40 TL
105,856 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.175,68 TL
127,027 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
2.646,40 TL
105,856 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.175,68 TL
127,027 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 25 - 45 | 105,856 TL | 529,28 TL |
| 50 - 120 | 95,36 TL | 476,80 TL |
| 125 - 245 | 85,504 TL | 427,52 TL |
| 250+ | 81,408 TL | 407,04 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
20A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
65W
Paket Tipi
TO-263
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
10.4mm
Yükseklik
4.6mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products