Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
30A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
420V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Paket Tipi
TO-263
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
16 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.7V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
9.35 mm
Yükseklik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Seri
Automotive Grade
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
576,60 TL
115,32 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
691,92 TL
138,384 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
5
576,60 TL
115,32 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
691,92 TL
138,384 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
30A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
420V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Paket Tipi
TO-263
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
16 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.7V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
9.35 mm
Yükseklik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Seri
Automotive Grade
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


