Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
25 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
425 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±16V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
82,56 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
99,072 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
82,56 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
99,072 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
5 - 5 | 82,56 TL | 412,80 TL |
10 - 95 | 70,348 TL | 351,74 TL |
100 - 495 | 54,782 TL | 273,91 TL |
500+ | 48,246 TL | 241,23 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
25 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
425 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±16V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.