Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
10A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
88W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.95V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
2.4mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
H
Uzunluk
6.6mm
Enerji Değeri
221mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
419,20 TL
41,92 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
503,04 TL
50,304 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
419,20 TL
41,92 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
503,04 TL
50,304 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
10A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
88W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.95V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
2.4mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
H
Uzunluk
6.6mm
Enerji Değeri
221mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


