STMicroelectronics STGD5H60DF IGBT, 600 V, 10 A, 3-Pinli DPAK (TO-252)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
10A
Ürün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
88W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.95V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
6.6mm
Yükseklik
2.4mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
H
Enerji Değeri
221mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
81.120,00 TL
32,448 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
97.344,00 TL
38,938 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
81.120,00 TL
32,448 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
97.344,00 TL
38,938 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
10A
Ürün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
88W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
1.95V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
6.6mm
Yükseklik
2.4mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
H
Enerji Değeri
221mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products