STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics IGBT, 10 A, 1200 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
10 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
75 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Enerji Değeri
12.68mJ
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Kapı Kapasitansı
430pF
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
375,84 TL
75,168 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
451,01 TL
90,202 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
375,84 TL
75,168 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
451,01 TL
90,202 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 75,168 TL | 375,84 TL |
| 25 - 45 | 71,34 TL | 356,70 TL |
| 50 - 120 | 64,38 TL | 321,90 TL |
| 125 - 245 | 57,768 TL | 288,84 TL |
| 250+ | 54,984 TL | 274,92 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
10 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
75 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Enerji Değeri
12.68mJ
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Kapı Kapasitansı
430pF
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products