Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
5A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
1200V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
75W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
690ns
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
2.2mm
Uzunluk
6.2mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC JESD97, ECOPACK
Seri
H
Enerji Değeri
12.68mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
414,72 TL
82,944 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
497,66 TL
99,533 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
414,72 TL
82,944 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
497,66 TL
99,533 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 82,944 TL | 414,72 TL |
| 25 - 45 | 78,72 TL | 393,60 TL |
| 50 - 120 | 71,04 TL | 355,20 TL |
| 125 - 245 | 63,744 TL | 318,72 TL |
| 250+ | 60,672 TL | 303,36 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
5A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
1200V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
75W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
690ns
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
2.2mm
Uzunluk
6.2mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC JESD97, ECOPACK
Seri
H
Enerji Değeri
12.68mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


