STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics IGBT, 10 A, 1200 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
5A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
1200V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
75W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
690ns
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
2.2mm
Uzunluk
6.2mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC JESD97, ECOPACK
Seri
H
Enerji Değeri
12.68mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.906,50 TL
76,26 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.287,80 TL
91,512 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
1.906,50 TL
76,26 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.287,80 TL
91,512 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 25 - 45 | 76,26 TL | 381,30 TL |
| 50 - 120 | 68,82 TL | 344,10 TL |
| 125 - 245 | 61,752 TL | 308,76 TL |
| 250+ | 58,776 TL | 293,88 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
5A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
1200V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
75W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
690ns
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
2.2mm
Uzunluk
6.2mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC JESD97, ECOPACK
Seri
H
Enerji Değeri
12.68mJ
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products