STGF6NC60HD STMicroelectronics IGBT, 6 A, 600 V, 3-Pinli TO-220FP
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
7A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
56W
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
16.4mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC JESD97
Seri
Powermesh
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.825,90 TL
73,036 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
2.191,08 TL
87,643 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
25
1.825,90 TL
73,036 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
2.191,08 TL
87,643 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
25
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 25 - 45 | 73,036 TL | 365,18 TL |
| 50 - 120 | 65,72 TL | 328,60 TL |
| 125 - 245 | 59,272 TL | 296,36 TL |
| 250+ | 56,172 TL | 280,86 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
7A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
56W
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
16.4mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC JESD97
Seri
Powermesh
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products