STGW80H65DFB STMicroelectronics IGBT, 120 A, 650 V, 3-Pinli TO-247

RS Stok Numarası: 792-5814Marka: STMicroelectronicsÜretici Parça Numarası: STGW80H65DFB
brand-logo
Tümünü IGBT'ler içinde gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Ürün Tipi

IGBT

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)

650V

Maksimum Güç Kaybı (Pd)

469W

Paket Tipi

TO-247

Montaj Tipi

Deliğe Takılan

İletken Tipi

N Tipi

Pim Sayısı

3

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)

±20 V

Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))

2V

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

175°C

Yükseklik

20.15mm

Standartlar/Onaylar

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Seri

H

Otomotiv Standardı

NO

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Tümünü IGBT'ler içinde gör

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

305,85 TL

305,85 TL Each (KDV Hariç)

367,02 TL

367,02 TL Each KDV Dahil

STGW80H65DFB STMicroelectronics IGBT, 120 A, 650 V, 3-Pinli TO-247
Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
1305,85 TL
2611,69 TL
3917,54 TL
41.223,38 TL
51.529,23 TL
61.835,08 TL
72.140,92 TL
82.446,77 TL
92.752,61 TL
103.058,46 TL
113.364,31 TL
123.670,15 TL
133.976,00 TL
144.281,84 TL
154.587,69 TL

305,85 TL

305,85 TL Each (KDV Hariç)

367,02 TL

367,02 TL Each KDV Dahil

STGW80H65DFB STMicroelectronics IGBT, 120 A, 650 V, 3-Pinli TO-247

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
1305,85 TL
2611,69 TL
3917,54 TL
41.223,38 TL
51.529,23 TL
61.835,08 TL
72.140,92 TL
82.446,77 TL
92.752,61 TL
103.058,46 TL
113.364,31 TL
123.670,15 TL
133.976,00 TL
144.281,84 TL
154.587,69 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Ürün Tipi

IGBT

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)

650V

Maksimum Güç Kaybı (Pd)

469W

Paket Tipi

TO-247

Montaj Tipi

Deliğe Takılan

İletken Tipi

N Tipi

Pim Sayısı

3

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)

±20 V

Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))

2V

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

175°C

Yükseklik

20.15mm

Standartlar/Onaylar

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Seri

H

Otomotiv Standardı

NO

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more