STGWT80H65DFB STMicroelectronics IGBT, 120 A, 650 V, 3-Pinli TO-3P

RS Stok Numarası: 829-7136PMarka: STMicroelectronicsÜretici Parça Numarası: STGWT80H65DFB
brand-logo
Tümünü IGBT'ler içinde gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

120 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

650 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±20V

Maksimum Güç Kaybı

469 W

Paket Tipi

TO-3P

Montaj Tipi

Açık Delik

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Hızı

1MHz

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

15.8 x 5 x 20.1mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Tümünü IGBT'ler içinde gör

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

1.519,00 TL

303,80 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)

1.822,80 TL

364,56 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil

STGWT80H65DFB STMicroelectronics IGBT, 120 A, 650 V, 3-Pinli TO-3P
Paketlenme türü seçiniz

Üretime Uygun Paketleme (Tüp)

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

5

Katlarında sipariş edilebilir 1
51.519,00 TL
61.822,80 TL
72.126,60 TL
82.430,40 TL
92.734,20 TL
102.734,20 TL
113.007,62 TL
123.281,04 TL
133.554,46 TL
143.827,88 TL
154.101,30 TL
164.374,72 TL
174.648,14 TL
184.921,56 TL
195.194,98 TL

1.519,00 TL

303,80 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)

1.822,80 TL

364,56 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil

STGWT80H65DFB STMicroelectronics IGBT, 120 A, 650 V, 3-Pinli TO-3P

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Paketlenme türü seçiniz

Üretime Uygun Paketleme (Tüp)

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

5

Katlarında sipariş edilebilir 1
51.519,00 TL
61.822,80 TL
72.126,60 TL
82.430,40 TL
92.734,20 TL
102.734,20 TL
113.007,62 TL
123.281,04 TL
133.554,46 TL
143.827,88 TL
154.101,30 TL
164.374,72 TL
174.648,14 TL
184.921,56 TL
195.194,98 TL

MiktarBirim Fiyat
5 - 9303,80 TL
10 - 24273,42 TL
25 - 49246,14 TL
50+233,74 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

120 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

650 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±20V

Maksimum Güç Kaybı

469 W

Paket Tipi

TO-3P

Montaj Tipi

Açık Delik

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Hızı

1MHz

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

15.8 x 5 x 20.1mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more