Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
H2PAK
Seri
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
3.9mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
117nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
10.57 mm
Yükseklik
4.8mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
131.874,00 TL
131,874 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
158.248,80 TL
158,249 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
131.874,00 TL
131,874 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
158.248,80 TL
158,249 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
H2PAK
Seri
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
3.9mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
117nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
10.57 mm
Yükseklik
4.8mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


