Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
H2PAK
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
3.9mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
117nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
10.57 mm
Yükseklik
4.8mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
369,52 TL
184,76 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
443,42 TL
221,712 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
369,52 TL
184,76 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
443,42 TL
221,712 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 184,76 TL | 369,52 TL |
| 10 - 18 | 175,46 TL | 350,92 TL |
| 20 - 48 | 158,10 TL | 316,20 TL |
| 50 - 98 | 142,29 TL | 284,58 TL |
| 100+ | 135,47 TL | 270,94 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
H2PAK
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
3.9mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
117nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
10.57 mm
Yükseklik
4.8mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


