Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
180 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Series
STripFET H7
Paket Tipi
H2PAK-2
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Maksimum Güç Kaybı
315 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
10.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
15.8mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 180 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
4.8mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
382,68 TL
191,342 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
459,22 TL
229,61 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
2
382,68 TL
191,342 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
459,22 TL
229,61 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
2
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
180 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Series
STripFET H7
Paket Tipi
H2PAK-2
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Maksimum Güç Kaybı
315 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
10.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
15.8mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 180 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
4.8mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


