Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
120 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
111 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 29 nC
Genişlik
6.2mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
0.95mm
Seri
STripFET F7
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
7,912 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
9,494 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
7,912 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
9,494 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
120 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
111 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 29 nC
Genişlik
6.2mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
0.95mm
Seri
STripFET F7
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.