Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
140 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.15mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 55 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Genişlik
5.2mm
Yükseklik
0.95mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
865,26 TL
86,526 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.038,31 TL
103,831 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
865,26 TL
86,526 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.038,31 TL
103,831 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
140 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.15mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 55 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Genişlik
5.2mm
Yükseklik
0.95mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.