Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
140A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Seri
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
2mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
55nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
125W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
6.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.2 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
479,40 TL
95,88 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
575,28 TL
115,056 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
479,40 TL
95,88 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
575,28 TL
115,056 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 95,88 TL | 479,40 TL |
| 10+ | 91,08 TL | 455,40 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
140A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Seri
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
2mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
55nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
125W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
6.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.2 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.


