Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
140A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Seri
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
2mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
55nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
125W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
6.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.2 mm
Otomotiv Standardı
No
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
910,80 TL
91,08 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.092,96 TL
109,296 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
910,80 TL
91,08 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.092,96 TL
109,296 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
140A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Seri
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
2mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
55nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
125W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
6.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.2 mm
Otomotiv Standardı
No
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.


