STMicroelectronics STL42P6LLF6 P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 42 A, 60 V, 8-Pinli PowerFLAT

RS Stok Numarası: 178-7402Marka: STMicroelectronicsÜretici Parça Numarası: STL42P6LLF6
brand-logo
View all in MOSFET'ler

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

P

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

42 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

60 V

Paket Tipi

PowerFLAT

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

8

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

34 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.5V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

1V

Maksimum Güç Kaybı

100 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Genişlik

5.4mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Transistör Malzemesi

Si

Uzunluk

6.35mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

4,5 V'de 30 nC

Yükseklik

0.95mm

Seri

STripFET

İleri Diyot Gerilimi

1.1V

Ürün Ayrıntıları

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

P.O.A.

STMicroelectronics STL42P6LLF6 P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 42 A, 60 V, 8-Pinli PowerFLAT

P.O.A.

STMicroelectronics STL42P6LLF6 P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 42 A, 60 V, 8-Pinli PowerFLAT
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

P

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

42 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

60 V

Paket Tipi

PowerFLAT

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

8

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

34 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.5V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

1V

Maksimum Güç Kaybı

100 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Genişlik

5.4mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Transistör Malzemesi

Si

Uzunluk

6.35mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

4,5 V'de 30 nC

Yükseklik

0.95mm

Seri

STripFET

İleri Diyot Gerilimi

1.1V

Ürün Ayrıntıları

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics