Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
90 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
94 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
6.35mm
Uzunluk
5.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 25 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
0.95mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
150.684,00 TL
50,228 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
180.820,80 TL
60,274 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
150.684,00 TL
50,228 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
180.820,80 TL
60,274 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
90 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
94 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
6.35mm
Uzunluk
5.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 25 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
0.95mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.


