Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
90A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
PowerFLAT
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
5.4mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
94W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
25nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
6.35 mm
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
5.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
No
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
156.960,00 TL
52,32 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
188.352,00 TL
62,784 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
156.960,00 TL
52,32 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
188.352,00 TL
62,784 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
90A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
PowerFLAT
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
5.4mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
94W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
25nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
6.35 mm
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
5.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
No
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.


