Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
100A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
5.6mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
125W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
12.6nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
9.15mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
No
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2.787,00 TL
55,74 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.344,40 TL
66,888 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.787,00 TL
55,74 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.344,40 TL
66,888 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
100A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
5.6mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
125W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
12.6nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
9.15mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
No
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.


