Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-220
Series
STripFET F7
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12,6 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.6mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
9.15mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
2.408,40 TL
48,168 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.890,08 TL
57,802 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.408,40 TL
48,168 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.890,08 TL
57,802 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-220
Series
STripFET F7
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12,6 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.6mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
9.15mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.