Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-220
Series
STripFET F7
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
160 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 13,6 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
9.15mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
3.143,60 TL
62,872 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.772,32 TL
75,446 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
3.143,60 TL
62,872 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.772,32 TL
75,446 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-220
Series
STripFET F7
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
160 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 13,6 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
9.15mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.


