Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
13 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
550 V
Paket Tipi
TO-220
Series
MDmesh M5
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
240 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
90 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 31 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
15.75mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
50
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
13 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
550 V
Paket Tipi
TO-220
Series
MDmesh M5
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
240 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
90 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 31 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
15.75mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.


