Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
13 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
550 V
Paket Tipi
TO-220
Series
MDmesh M5
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
240 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
90 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 31 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
15.75mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
50
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
13 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
550 V
Paket Tipi
TO-220
Series
MDmesh M5
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
240 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
90 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.6mm
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 31 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
15.75mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.


