Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
TO-220
Seri
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
3.2mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
300W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
160nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
15.75mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
388,12 TL
194,06 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
465,74 TL
232,872 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
388,12 TL
194,06 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
465,74 TL
232,872 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 194,06 TL | 388,12 TL |
| 10 - 18 | 187,86 TL | 375,72 TL |
| 20 - 48 | 183,21 TL | 366,42 TL |
| 50 - 98 | 178,25 TL | 356,50 TL |
| 100+ | 173,60 TL | 347,20 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
TO-220
Seri
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
3.2mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
300W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
160nC
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
15.75mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


