Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
120 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-220
Series
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.7 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 183 nC
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
15.75mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
415,28 TL
415,28 TL Each (KDV Hariç)
498,34 TL
498,34 TL Each KDV Dahil
Standart
1

415,28 TL
415,28 TL Each (KDV Hariç)
498,34 TL
498,34 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat |
|---|---|
| 1 - 1 | 415,28 TL |
| 2+ | 393,82 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
120 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-220
Series
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.7 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 183 nC
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
15.75mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


