Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
55 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET II
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
18 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
95 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 27 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
2.398,25 TL
47,965 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.877,90 TL
57,558 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.398,25 TL
47,965 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.877,90 TL
57,558 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
50 - 50 | 47,965 TL | 2.398,25 TL |
100 - 450 | 37,259 TL | 1.862,95 TL |
500 - 950 | 31,535 TL | 1.576,75 TL |
1000 - 4950 | 26,341 TL | 1.317,05 TL |
5000+ | 24,804 TL | 1.240,20 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
55 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET II
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
18 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
95 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 27 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.