Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
55 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
STripFET II
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
18 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
95 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 27 nC
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
413,40 TL
82,68 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
496,08 TL
99,216 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5

413,40 TL
82,68 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
496,08 TL
99,216 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
5 - 5 | 82,68 TL | 413,40 TL |
10 - 20 | 74,464 TL | 372,32 TL |
25 - 95 | 70,408 TL | 352,04 TL |
100 - 495 | 54,60 TL | 273,00 TL |
500+ | 46,176 TL | 230,88 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
55 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
STripFET II
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
18 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
95 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 27 nC
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.