Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
42A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
710V
Paket Tipi
TO-220
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
63mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
98nC
İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
15.75mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
443,70 TL
443,70 TL Each (KDV Hariç)
532,44 TL
532,44 TL Each KDV Dahil
Standart
1
443,70 TL
443,70 TL Each (KDV Hariç)
532,44 TL
532,44 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
42A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
710V
Paket Tipi
TO-220
Seri
MDmesh M5
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
63mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
98nC
İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
15.75mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.


