Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
60 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET II
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
110 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-15 V, +15 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 35 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2.589,70 TL
51,794 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.107,64 TL
62,153 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.589,70 TL
51,794 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.107,64 TL
62,153 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 51,794 TL | 2.589,70 TL |
| 100 - 450 | 42,05 TL | 2.102,50 TL |
| 500 - 950 | 35,264 TL | 1.763,20 TL |
| 1000 - 4950 | 31,726 TL | 1.586,30 TL |
| 5000+ | 26,042 TL | 1.302,10 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
60 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET II
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
110 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-15 V, +15 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 35 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


