Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
60A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STripFET II
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
14mΩ
Kanal Modu
Artırma
İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
110W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
15 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
35nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
9.15mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2.768,30 TL
55,366 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.321,96 TL
66,439 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.768,30 TL
55,366 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.321,96 TL
66,439 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 55,366 TL | 2.768,30 TL |
| 100 - 450 | 44,95 TL | 2.247,50 TL |
| 500 - 950 | 37,696 TL | 1.884,80 TL |
| 1000 - 4950 | 33,914 TL | 1.695,70 TL |
| 5000+ | 27,838 TL | 1.391,90 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
60A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STripFET II
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
14mΩ
Kanal Modu
Artırma
İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
110W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
15 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
35nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Genişlik
4.6 mm
Yükseklik
9.15mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


