Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
TO-220
Series
STripFET II
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 142 nC
Genişlik
4.6mm
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
222,72 TL
111,36 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
267,26 TL
133,632 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2

222,72 TL
111,36 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
267,26 TL
133,632 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2

| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 2 - 2 | 111,36 TL | 222,72 TL |
| 4+ | 105,85 TL | 211,70 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
TO-220
Series
STripFET II
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 142 nC
Genişlik
4.6mm
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


