Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
STripFET
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
90 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
350 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
3.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 6 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
1.75mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
1.3mm
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
983,10 TL
19,662 TL Each (In a Pack of 50) (KDV Hariç)
1.179,72 TL
23,594 TL Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
Standart
50
983,10 TL
19,662 TL Each (In a Pack of 50) (KDV Hariç)
1.179,72 TL
23,594 TL Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
50
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 19,662 TL | 983,10 TL |
| 100+ | 18,676 TL | 933,80 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
STripFET
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
90 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
350 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
3.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 6 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
1.75mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
1.3mm
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


