Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
DeepGate, STripFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
55 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 17 nC
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
1.65mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
39,386 TL
Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
47,263 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
39,386 TL
Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
47,263 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
10 - 40 | 39,386 TL | 393,86 TL |
50 - 90 | 37,459 TL | 374,59 TL |
100 - 240 | 33,652 TL | 336,52 TL |
250 - 490 | 30,315 TL | 303,15 TL |
500+ | 28,811 TL | 288,11 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
DeepGate, STripFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
55 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 17 nC
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
1.65mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.